應對全球碳稅挑戰!Local Scrubber在高科技廠房減碳應用
AI人工智慧需求提升,伴隨半導體產業需求增加,含氟氣體及N₂O為半導體製程中常用的溫室氣體,含氟氣體在環境中較不易被分解,對於全球溫度上升的影響程度為二氧化碳的幾百到幾萬倍,若未進行有效改善,將對環境造成衝擊。在製程後端加裝尾氣破壞處理設備(Local scrubber)以減少溫室氣體的排放,並利用FTIR對Local scrubber去除效率進行量測,以確認設備之減碳效果。

含氟氣體被聯合國政府間氣候變化專門委員會(Intergovernmental Panel on Climate Change, IPCC),歸類為高暖化潛勢溫室氣體,其全球暖化潛勢(Global Warming Potential, GWP,亦稱為全球升溫潛能值)更為二氧化碳的幾百到幾萬倍。半導體製程中,如:化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD),含氟氣體用於反應腔體的電漿清潔和蝕刻,這些製程中使用的含氟氣體純度均在99.995%以上。然而,這些高純度含氟氣體在經過製程後濃度雖降低,但所排放出的尾氣對於環境而言,仍是高濃度的污染,若未對製程尾氣進行處理,直接排放至環境中,將對環境造成衝擊。
溫室氣體自願減量暨抵換專案
環境部氣候變遷署在107年針對半導體產業提出「TM002半導體產業含氟及N₂O溫室氣體破壞處理設備排放減量方法」,藉由尾氣破壞處理設備,降低製程中含氟溫室氣體及N₂O的排放。另一方面,為了達到2050年碳中和的目標,環境部將於2026年向排碳大戶徵收碳稅,並於2025年5月底前進行試申請。再者,配合2024年所公告的「溫室氣體減量額度交易拍賣及移轉管理辦法」,業者所減少的溫室氣體排放量可選擇自行抵換或經由第三方平台進行交易,達到共同減碳的成效。
TM002半導體產業含氟及N₂O溫室氣體破壞處理設備排放減量方法學
適用對象:積體電路製造產業。
減量溫室氣體類型及去除效率:含氟氣體(CF₄、C₂F₆、C₃F₈、c-C₄F₈、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、NF₃、SF₆)去除率需大於90%,N₂O去除效率需大於60%。
減量設備:尾氣破壞處理設備(Local scrubber)。
減量測試方法:在製程機台後端加裝溫室氣體破壞處理設備,並於Local Scrubber前端及後端以FTIR同時進行採樣。
DRE = 1 – Mₒ/Mᵢ
DRE:Destruction Removal Efficiency, 去除效率
Mᵢ:破壞處理設備進口端氣體的質流量
Mₒ:破壞處理設備出口端氣體的質流量
檢測週期:依減量設備之型式進行群組分類,以裝設年份最早之同型式減量設備,進行三年一次的檢測。
SGS提供尾氣處理設備去除效率檢測服務
光電、半導體廠內使用大量及多種特殊、危害性氣體做為製程氣體,其氣體經過製程反應後俗稱為尾氣。工廠所排放的尾氣通利用適當的Local Scrubber進行預先處理,以確保處理過後之尾氣是在Central Scrubber負荷量範圍內,再以終端Central Scrubber排放至環境。為了能確實達成環境的永續經營及排放符合標準,Local Scrubber的處理效能也成為監控的重點之一。
為了幫助您實現減碳目標,SGS提供完整的Local Scrubber檢測服務:
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