半導體製程Local Scrubber DRE之流量間接校正解析
環境部依據 IPCC 指導建議書提出 TM001、TM002 方法學，為排除 Local scrubber 在量測破壞去除設備效能時，製程氣體及助燃氣體對去除效率造成的影響，透過稀釋比進行流量校正，以提升去除效率（DRE）計算的準確性。流量校正方法包含 QMS 分析與流量間接校正兩種方式。透過流量校正，能建立更具科學性的減量依據，並提升減排數據的透明度與準確性。
為了在 2050 年達成淨零排放(Net Zero)的全球目標，各產業近年積極推動碳盤查與產品碳足跡計算，並檢視生產流程中可優化的環節，以實現減碳效果。在半導體產業方面，聯合國政府間氣候變遷專門委員會(Intergovernmental Panel on Climate Change, IPCC)於「2006 IPCC Guidelines for National Greenhouse Gas Inventories: 2019 Refinement」第三卷第六章中指出，半導體清洗製程所使用的含氟 (如：CF4、C2F6、NF3等)及N2O溫室氣體，因具有極高的全球暖化潛勢值(Global Warming Potential, GWP)註一，應搭配破壞去除設備(Local scrubber)進行處理，並針對Local scrubber與破壞去除率(Destruction Removal Efficiency, DRE)提出建議。
環境部氣候變遷署依據IPCC 2019年精進指南，針對半導體含氟及N2O溫室氣體的削減與控制公告了兩種減量方法學：
TM001《平面顯示器產業SF6破壞去除設備排放減量方法》
TM002《半導體產業含氟及N2O溫室氣體破壞處理設備排放減量方法學》
其中明確規範，在量測Local scrubber含氟或N2O溫室氣體之DRE時，必須進行流量校正並計算稀釋率(Dilution Ratio)以計算出含氟或N2O溫室氣體真實之DRE。
目前減量方法中可使用兩種方式進行流量校正：
- QMS (Quadrupole Mass Spectrometer)分析
- 流量間接校正方法
QMS分析
以惰性氣體Kr做為追蹤氣體注入Local scrubber前端，並於Local scrubber後端量測Kr，計算Kr經過Local scrubber的質流量差，計算出稀釋率。
流量間接校正方法
進行間接流量校正前，將Local scrubber進行失效化(電熱式就降到200 度以下，燃燒式採取關火方式)，再以製程中含氟溫室氣體或N2O以質量平衡配合FTIR量測進行流量間接校正，如下圖。圖中以質量平衡的方式在製程未開啟且Local scrubber失效的狀態下氣源、量測點(in)及量測點(out)之質流量應相同，藉由FTIR量測到的濃度配合質流量公式進而計算出校正後之流量，進而計算出稀釋率。
在獲得稀釋率後，進行機台的效能評估測試，並將稀釋率帶入DRE公式進行計算獲得DRE。
有關DRE檢測相關資訊請參閱應對全球碳稅挑戰！Local Scrubber在高科技廠房減碳應用 | SGS SEMI半導體超微量分析服務 | SGS台灣檢驗科技股份有限公司
SGS提供洩漏相關檢測服務
SGS 依循 TM001 與 TM002 方法學，搭配流量間接校正方法，協助半導體與顯示器產業進行尾氣處理效能檢測，計算破壞去除效率並提供檢測報告，以支援企業在減碳、碳盤查及設備驗收上的需求。
