導入ISO 14644-8標準-強化化學汙染逸散控制
隨著半導體、光電與精密製造技術快速演進,製程環境對化學汙染的敏感度持續提升。為協助產業打造更高品質、更加穩定的製程環境,ISO 14644-8提供了空氣化學汙染的分級標準,導入設備及材料汙染物逸散控制概念,有助企業強化風險管理。

製程穩定度新挑戰-空氣中化學汙染
現今半導體先進製程朝向奈米尺度邁進,光電與精密製造技術精度要求也日益嚴苛,使得任何微量的汙染都可能影響產品品質與良率。近年來,空氣中的化學汙染已成為造成製程缺陷、元件失效與良率波動的隱性因素。此類汙染泛指空氣中任何非粒狀化學物質,來源可能包括外部空氣環境、建築材料逸散、製程化學品洩漏以及人員活動等,涵蓋酸性、鹼性、有機物、腐蝕性、氧化性物質等(如下表所示,依ISO14644-8分類),其化學性質可能對產品、製程或設備造成不良影響。
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化學物質類別 |
代表性汙染物 |
主要風險 |
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酸性物質 (Acid) |
HF、HCl、HNO₃、SO₂ |
腐蝕金屬、閘氧層變薄、線寬變窄 |
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鹼性物質 (Base) |
NH₃、amines (TMA, DMA, TEA) |
與酸類反應、EUV 及先進曝光區線寬偏移、T-topping |
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有機物 (Organic) |
IPA、acetone、alcohols、aromatics、VOC |
影響光阻反應、沉積膜厚不均、殘膠 |
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可凝結物 (Condensable) |
Siloxane、phthalates、silicone oil |
元件鏡片表面殘留、界面反應不均 |
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腐蝕性物質 (Corrosive) |
HCl、HF、NO₂、SO₂ |
金屬氧化腐蝕 、介電層失效、降低鏡片透光率 |
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摻雜性物質 (Dopant) |
PH₃、BF₃、AsH₃、B₂H₆ |
高毒性危害、光阻殘留、介電層漏電 |
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氧化性氣體 (Oxidant) |
O₃、Cl₂ |
金屬氧化、EUV反射鏡損傷、膜質劣化 |
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生物毒性物質 (Biotoxic) |
Xylene、PH₃、SO₂、NO、NO₂、Endotoxin |
表面汙染、微粒缺陷、潛在健康風險 |
當化學汙染物透過空氣傳輸並吸附於關鍵製程表面時,極易形成肉眼難以察覺的微量汙染,卻足以在光阻塗佈、光學曝光、蝕刻、薄膜沉積等關鍵步驟引發缺陷,造成光阻反應異常、線寬偏移、膜厚不均、介電層失效,甚至改變材料表面化學特性,影響產品電性與長期可靠度。
因此,在高端製程環境與無塵室中,除了嚴格控管空氣中微粒濃度以符合 ISO Class 要求外,更完善的化學汙染管制標準已成為確保製程穩定、提升良率與維持競爭力的關鍵。
ISO 14644-8:空氣化學汙染分級標準
ISO 14644-8 Assessment of air cleanliness by chemical concentration (ACC) 為 ISO 14644 無塵室與受控環境系列標準中專門針對化學性汙染的章節,該標準用於評估空氣化學潔淨度等級,並提供酸性、鹼性、有機等多種類型化學物質的測試方法,補足先進製程對「氣態汙染物」的管理需求,協助製程環境從「微粒控制」進一步提升至「分子控制」。
通用等級:ACC潔淨度
透過氣體捕集系統收集汙染物,以化學濃度(g/m)作為換算基礎,對應空氣潔淨度等級(N),建立一致性標準
ISO-ACC Level N (X),X =一種或一群組化學物質
重要目的:品質評估標準化
ISO 14644-8 提供一套國際通用評估架構,無塵室可依應用需求訂定汙染控制等級,並以此作為風險管理指標,有助於提升驗證標準的統一性並確保跨區品質達同一水準。ISO 14644-8標準確保各產業可有效:
- 量化 空氣化學汙染等級,用來評估與改善化學逸散程度
- 建立 分級架構與防護策略,強化廠區管理能力與資訊透明度
- 控制 高敏感製程中的化學汙染,降低汙染風險與潛在捨棄成本
- 比較 各廠區或設備的製程品質,同步國際客戶品質驗證要求
使用時機:從設計到運行的每一階段
ISO 14644-8 的適用範圍涵蓋高靈敏儀器操作區,以及半導體、光電、高端材料、生物科技等高敏感產業,可運用於製程生命週期的每個環節,包括規劃設計初期階段、設備安裝與驗證期間、日常監測與管制以及變更管理階段。

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